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BSZ12DN20NS3 G
1个N沟道 耐压:200V 电流:11.3A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ12DN20NS3 G
- 商品编号
- C534706
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,5.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 100 个)个
起订量：100 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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