- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IAUS200N08S5N023
N沟道增强型OptiMOS-5功率晶体管，超低导通电阻，AEC认证，MSL1回流峰值达260°C，100%雪崩测试
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUS200N08S5N023
- 商品编号
- C535717
- 商品封装
- HSOG-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.982284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 符合AEC标准
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 超低导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试
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