温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IGLD60R070D1
600V CoolGaN增强模式功率晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：增强模式晶体管。常开式开关。超快开关速度。无反向恢复电荷。具备反向导通能力。低栅极电荷，低输出电荷。应用：基于半桥拓扑的工业、电信、数据中心开关电源（如用于硬开关和软开关的半桥拓扑，像图腾柱PFC、高频LLC）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGLD60R070D1
- 商品编号
- C536068
- 商品封装
- LSON-8-1(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.397362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 380pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单