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IGP30N65F5
650V 35A
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- 描述
- 特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 在升压转换器中与碳化硅肖特基二极管完美匹配。 最高结温175℃。 符合JEDEC目标应用标准。应用：太阳能转换器。 不间断电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGP30N65F5
- 商品编号
- C536078
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.066667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 输出电容(Coes) | 45pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.3mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.8nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | 280uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 70uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 9pF |
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