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IGOT60R070D1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IGOT60R070D1

IGOT60R070D1

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商品型号
IGOT60R070D1
商品编号
C536071
商品封装
DSO-20​
包装方式
编带
商品毛重
1.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)5.8nC@400V
输入电容(Ciss)380pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品特性

  • 增强型晶体管 – 常关开关
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 能够反向导通
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 卓越的换向耐用性
  • 符合JEDEC标准(JESD47和JESD22)的工业应用要求

应用领域

-基于半桥拓扑的工业、电信、数据中心开关电源(适用于硬开关和软开关的半桥拓扑,如图腾柱PFC、高频LLC)

数据手册PDF