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IGLD60R190D1
IGLD60R190D1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGLD60R190D1
- 商品编号
- C536069
- 商品封装
- LSON-8-1(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 157pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 增强型晶体管 - 常关开关
- 超快速开关
- 无反向恢复电荷
- 能够反向导通
- 低栅极电荷、低输出电荷
- 卓越的换向耐用性
- 根据JEDEC标准(JESD47和JESD22)通过工业应用认证
应用领域
-基于半桥拓扑的开关电源和高密度充电器(用于硬开关和软开关的半桥拓扑,如图腾柱PFC、高频LLC和反激式)