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IAUZ40N10S5N130
IAUZ40N10S5N130
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUZ40N10S5N130
- 商品编号
- C535733
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 适用于汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET
- N 沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 通过 AEC Q101 认证
- 最高 260°C 峰值回流温度下的 MSL1 等级
- 175°C 工作温度
- 绿色产品（符合 RoHS 标准）
- 100% 雪崩测试
- 适用于自动光学检测（AOI）