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IAUZ20N08S5L300
IAUZ20N08S5L300
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUZ20N08S5L300
- 商品编号
- C535731
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 599pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.6pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道增强模式逻辑电平
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
- 英飞凌汽车级品质
- 超出AEC Q101的扩展认证
- 增强测试
- 抗分层的先进附着力
- 电路板级可靠性的补充测试
- 先进附着力
- 坚固耐用
- 增强测试