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BSZ180P03NS3 G
OptiMOs P3功率晶体管
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- 描述
- 特性：单P沟道，符合JEDEC标准，适用于目标应用。 工作温度：150℃。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。 无铅，符合RoHS标准。 无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。 负载开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ180P03NS3 G
- 商品编号
- C534713
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.22nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73.5pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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