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BSZ215C H
BSZ215C H
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ215C H
- 商品编号
- C534715
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 419pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品特性
- 互补 P + N 沟道
- 增强型
- 超逻辑电平(额定 2.5V)
- 共漏极
- 雪崩额定
- 工作温度 175°C
- 符合 AEC Q101 标准
- 100% 无铅;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61246-21 标准无卤
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