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BSZ22DN20NS3GATMA1
1个N沟道 耐压:200V 电流:7A
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- 描述
- 特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ22DN20NS3GATMA1
- 商品编号
- C534716
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1178克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 225mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交14单
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- IAUT150N10S5N035