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IAUA200N04S5N010
1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
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- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL3，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUA200N04S5N010
- 商品编号
- C535690
- 商品封装
- HSOF-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 167W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 7.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 标准电平
- 通过AEC Q101认证
- 湿度敏感度等级3级，最高峰值回流温度260°C
- 工作温度达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
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