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IAUC100N04S6L020
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET。N沟道。增强模式。逻辑电平。AEC Q101合格。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS）。100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC100N04S6L020
- 商品编号
- C535692
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.04mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.744nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 逻辑电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下的MSL1等级
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
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