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IAUC120N04S6L012
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC120N04S6L012
- 商品编号
- C535703
- 商品封装
- TDSON-8(5.2x6.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.288克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 逻辑电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
- 工作温度可达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
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