BSP92P H6327
P沟道小信号晶体管
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- 描述
- 特性:P沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据AEC Q101标准认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP92P H6327
- 商品编号
- C534586
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 额定dv/dt
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
