温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSZ009NE2LS5
OptiMOs 5功率晶体管，适用于电子保险丝和或门应用，低导通电阻，100%雪崩测试，N沟道，无铅，符合RoHS和无卤标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ009NE2LS5
- 商品编号
- C534637
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对电子熔丝和或门应用进行优化
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求