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BSZ014NE2LS5IF
OptiMOS5功率MOSFET，25 V
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- 描述
- 特性：针对同步整流进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 100% 雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ014NE2LS5IF
- 商品编号
- C534641
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.156克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF |
商品特性
- 针对同步整流进行优化
- 单片集成类肖特基二极管
- 在 V G S = 4.5 V 时,导通电阻 R D S ( o n ) 极低
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻乘积(品质因数 FOM)
- 经过 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用
- 引脚无铅电镀;符合 RoHS 标准
- 符合 IEC61249 - 2 - 21 标准,无卤