BSZ058N03MS G
BSZ058N03MS G
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ058N03MS G
- 商品编号
- C534670
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最低品质因数：导通电阻R_ON乘以栅极电荷Q_g
- 超低栅极电荷
- 极高dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 针对目标应用符合JEDEC注1标准
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
应用领域
-硬开关开关电源拓扑