BSZ058N03MS G
BSZ058N03MS G
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ058N03MS G
- 商品编号
- C534670
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对5V驱动器应用(笔记本电脑、VGA、负载点电源)进行优化
- 低开关品质因数(FOMsw),适用于高频开关电源
- 100%雪崩测试
- N沟道
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(品质因数FOM)
- 符合JEDEC标准 ^1),适用于目标应用
- 卓越的热阻性能
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准,无卤
应用领域
-硬开关开关电源拓扑