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BSZ0909NS
1个N沟道 耐压:34V 电流:36A
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- 描述
- 特性：针对 5V 驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 高频开关电源的低品质因数（FOM_SW）。 100% 雪崩测试。 改善的开关特性。 N 沟道。 在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。 卓越的热阻。 无铅电镀；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0909NS
- 商品编号
- C534692
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 34V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 975pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品特性
- 针对5V驱动器应用（笔记本电脑、VGA、负载点电源）进行优化
- 适用于高频开关电源的低开关品质因数
- 经过100%雪崩测试
- 改善了开关特性
- N沟道
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 具有出色的栅极电荷与RDS(on)乘积（品质因数）
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- 卓越的热阻性能
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准，无卤素