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BSZ088N03MS G
耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 用于高频开关电源的低FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 卓越的热阻。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ088N03MS G
- 商品编号
- C534684
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对5V驱动器应用(笔记本电脑、VGA、负载点电源)进行优化
- 用于高频开关电源(SMPS)的低开关品质因数(FOMsw)
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(品质因数FOM)
- 符合JEDEC标准
- 卓越的热阻性能
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤