BSZ0909ND
2个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0909ND
- 商品编号
- C534691
- 商品封装
- ISON-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 双N沟道OptiMOS MOSFET
- 增强型
- 逻辑电平（额定4.5V）
- 雪崩额定
- 100%无铅；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤