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BSZ0500NSI
OptiMOs5功率MOSFET，30 V
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0500NSI
- 商品编号
- C534661
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对同步整流进行优化
- 单片集成类肖特基二极管
- 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻
- 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素