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BSZ018NE2LSI
BSZ018NE2LSI
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ018NE2LSI
- 商品编号
- C534645
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.325nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 单片集成类肖特基二极管
- 在VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(on)极低
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
- 按照IEC61249-2-21标准无卤