BSZ0503NSI
1个N沟道 耐压:30V 电流:82A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0503NSI
- 商品编号
- C534664
- 商品封装
- TSDSON-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 单片集成类肖特基二极管
- 极低导通电阻 R D S ( o n ) @ V G S = 4.5 ~ V
- 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 按照 IEC61249-2-21 标准为无卤产品


