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BSZ034N04LS
1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 增大的源极互连提高了焊点可靠性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ034N04LS
- 商品编号
- C534652
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.078克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.52nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管（SyncFET）
- 集成单片肖特基类二极管
- 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)
- 经过100%雪崩测试
- 出色的热阻特性
- N沟道
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤