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BSZ028N04LS
1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 在 VDS 为 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N 沟道。 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准，无卤素。 扩大源极互连，提高焊点可靠性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ028N04LS
- 商品编号
- C534649
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.22nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 104pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对同步整流进行优化
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 增大源极互连提高焊点可靠性