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BSZ011NE2LS5I
OptiMOs 5功率晶体管，25 V
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- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5V时。 100%雪崩测试。 N沟道。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ011NE2LS5I
- 商品编号
- C534639
- 商品封装
- TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品特性
- 针对高性能降压转换器优化
- 单片集成类肖特基二极管
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准，无卤素