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BSS126H6327
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.021A
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- 描述
- 特性：N通道。耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS126H6327
- 商品编号
- C534596
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700Ω@10V,16mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF@3V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道
- 耗尽型
- 具备dv/dt额定值
- 卷盘上带有VGS(th)标识
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
- 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品