BSR802N L6327
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.7A
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- 描述
- 特性:N沟道。 增强模式。 超逻辑电平(额定1.8V)。 雪崩额定。 引脚兼容SO/T23。 根据AEC Q101认证。 100%无铅;符合RoHS标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSR802N L6327
- 商品编号
- C534590
- 商品封装
- SC-59-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@2.5V,3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.447nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
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