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BSR316P H6327
1个P沟道 耐压:100V 电流:0.36A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。逻辑电平。雪崩额定。无铅镀铅，符合RoHS标准。封装尺寸与SOT23兼容。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSR316P H6327
- 商品编号
- C534589
- 商品封装
- SC-59-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V,0.36A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 165pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |