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BSR315P H6327
1个P沟道 耐压:60V 电流:0.62A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 封装尺寸和引脚与SOT-23 / SuperSOT-23兼容。 雪崩额定SC-59。 无铅引脚涂层，符合RoHS标准。 漏极引脚3。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSR315P H6327
- 商品编号
- C534588
- 商品封装
- SC-59-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 620mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,0.62A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 176pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 引脚布局与SOT-23/SuperSOT-23封装兼容
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求