BSP88H6327
小信号晶体管
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- 描述
- 特性:N沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 2.8V额定。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP88H6327
- 商品编号
- C534584
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V,0.35A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 95pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
