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BSP716N H6327
1个N沟道 耐压:75V 电流:2.3A
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- 描述
- 特性：N沟道。 增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP716N H6327
- 商品编号
- C534579
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,2.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平（额定4.5V）
- 雪崩额定
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准，无卤素