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BSP321P H6327
1个P沟道 耐压:100V 电流:0.98A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。正常电平。雪崩额定。无铅镀铅，符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。按照IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP321P H6327
- 商品编号
- C534572
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1962克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 980mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,0.98A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 319pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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