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BSP317P H6327
1个P沟道 耐压:250V 电流:0.43A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP317P H6327
- 商品编号
- C534568
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 430mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 262pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |