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BSC265N10LSF G
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 特性：N-channel, logic level。非常低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。适用于高频开关和同步整流。低导通电阻 RDS(on)。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了资格认证。150℃ 工作温度。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC265N10LSF G
- 商品编号
- C534428
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@43uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |