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BSL211SP H6327
耐压:20V 电流:4.7A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 工作温度150℃。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSL211SP H6327
- 商品编号
- C534455
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@4.5V,4.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 654pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 197pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 超级逻辑电平（额定2.5 V）
- 工作温度达150°C
- 雪崩额定
- dv/dt额定
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
- 符合IEC61249-2-21标准，无卤素