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BSO040N03MS G
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 特性：针对5V驱动应用进行优化（笔记本电脑、VGA、负载点）。 低开关品质因数（FOM_SW），适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻乘积（FOM）。 符合消费级应用标准。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO040N03MS G
- 商品编号
- C534531
- 商品封装
- DSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- 针对 5V 驱动器应用(笔记本电脑、VGA、负载点电源)进行优化
- 低开关品质因数(FOMsw),适用于高频开关电源(SMPS)
- 经过 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻 RDS(on) 极低
- 栅极电荷与导通电阻 RDS(on) 的乘积(品质因数 FOM)极佳
- 符合消费级应用要求
- 无铅电镀;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准,无卤素