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BSO080P03NS3 G
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO080P03NS3 G
- 商品编号
- C534532
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- SO8封装单P沟道
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- 工作温度达150°C
- VGS = 25 V,特别适用于笔记本电脑应用
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
应用领域
- 电池管理
- 负载开关