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BSO080P03S H
耐压:30V 电流:14.9A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 150℃工作温度。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO080P03S H
- 商品编号
- C534533
- 商品封装
- DSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@14.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.89nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 工作温度达150°C
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求