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BSO150N03MD G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSO150N03MD G

2个N沟道 耐压:30V

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描述
特性:双N沟道,针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、负载点)进行优化。 低开关品质因数(FOM_SW),适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 符合消费级应用标准。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
商品型号
BSO150N03MD G
商品编号
C534536
商品封装
DSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.26克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9.3A
导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@10V
输入电容(Ciss)970pF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)340pF

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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