BSO150N03MD G
2个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 特性:双N沟道,针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、负载点)进行优化。 低开关品质因数(FOM_SW),适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 符合消费级应用标准。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO150N03MD G
- 商品编号
- C534536
- 商品封装
- DSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
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