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BSO203SP H实物图
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BSO203SP H

1个P沟道 耐压:20V 电流:8.9A

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描述
特性:单P沟道,采用SO8封装,符合JEDEC针对目标应用的标准。 工作温度:150℃。 超级逻辑电平(额定2.5V)。 无铅电镀,符合RoHS标准,根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
商品型号
BSO203SP H
商品编号
C534539
商品封装
DSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.115克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)8.9A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@8.9A
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))600mV
栅极电荷量(Qg)39nC@4.5V
输入电容(Ciss)3.75nF@20V
反向传输电容(Crss)1.02nF@20V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF