BSO203SP H
1个P沟道 耐压:20V 电流:8.9A
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- 描述
- 特性:单P沟道,采用SO8封装,符合JEDEC针对目标应用的标准。 工作温度:150℃。 超级逻辑电平(额定2.5V)。 无铅电镀,符合RoHS标准,根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO203SP H
- 商品编号
- C534539
- 商品封装
- DSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@8.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.02nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
