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BSD223P H6327
耐压:20V 电流:0.39A
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- 描述
- 特性：双P沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 工作温度150°C。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSD223P H6327
- 商品编号
- C534441
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 390mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V,0.39A | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 620pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 56pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 双P沟道
- 增强型
- 超逻辑电平（额定2.5 V）
- 工作温度达150°C
- 雪崩额定
- dv/dt额定
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求