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BSL308PE H6327
2个P沟道 耐压:30V 电流:2A
- 描述
- 特性：双P沟道。 增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 ESD保护。 根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSL308PE H6327
- 商品编号
- C534459
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 双P沟道
- 增强型
- 逻辑电平（额定4.5V）
- 静电放电保护
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求