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BSD235N H6327
2个N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
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- 描述
- 特性：双N沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。 无卤（根据IEC61249-2-21）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSD235N H6327
- 商品编号
- C534443
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 950mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V,0.95A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 320pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 63pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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