BSG0813NDI
BSG0813NDI
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSG0813NDI
- 商品编号
- C534453
- 商品封装
- TISON8-4-EP(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 双不对称N沟道OptiMOS 5 MOSFET
- 逻辑电平(额定4.5V)
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行鉴定
- 按照IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品
- 单片集成类肖特基二极管