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BSC900N20NS3 G
1个N沟道 耐压:200V 电流:15.2A
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- 描述
- 特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 工作温度可达150°C。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC900N20NS3 G
- 商品编号
- C534439
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对直流-直流转换进行优化
- N沟道,常电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 低导通电阻RDS(on)
- 工作温度达150 °C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 根据IEC61249-2-21标准无卤