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BSC252N10NSF G
耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 特性：极低的栅极电荷，适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 低导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC252N10NSF G
- 商品编号
- C534427
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25.2mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |