BGSX 33MU16 E6327
3P3T射频交叉开关，带MIPIRFFE控制接口
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- 描述
- RFCMOS3P3T天线交叉开关，具有高达36.5dBm的功率处理能力，适用于多模LTE和WCDMA三重天线应用，低插入损耗和低谐波生成，0.1到3.8GHz覆盖范围，高端口间隔离度，无需在RF线上施加直流电压时使用阻断电容器，完全兼容MIPIRFFE2.0标准，工作电压范围为1.65至1.95V，无引脚且无卤素的封装PG-ULGA-16-3，横向尺寸为2.0mmx2.0mm，厚度为0.6mm，无需电源去耦，高EMI鲁棒性，RoHS和WEEE合规封装。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGSX 33MU16 E6327
- 商品编号
- C534247
- 商品封装
- ULGA-16(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 三刀三掷 | |
| 频率 | 100MHz~3.8GHz | |
| 隔离度 | 48dB | |
| 插入损耗 | 1.5dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 36.5dBm | |
| 工作电压 | 1.65V~3.4V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 集成控制逻辑 |
商品概述
BGSX33MU16是一款三刀三掷（3P3T）射频开关，专为LTE和WCDMA三天线应用而设计，采用紧凑封装，尺寸仅为2.0×2.0 mm²，厚度为0.6 mm。这款3P3T开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。 该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器支持1.65至1.95 V的电源电压。该开关具备直接连接电池的功能和无直流偏置的射频端口。与砷化镓（GaAs）技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流隔直电容。BGSX33MU16射频开关采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。
商品特性
- 高达36.5 dBm输入功率时具有高线性度
- 在高达3.8 GHz频率下具有低插入损耗和高端口间隔离度
- 超高输入互调产物
- 低电流消耗
- 符合MIPI RFFE 2.0的控制接口
- 软件和硬件可编程的唯一系统识别码（USID）
- 符合RoHS和WEEE标准的封装
- 具备高达36.5 dBm功率处理能力的射频CMOS 3P3T天线交叉开关
- 适用于多模式LTE和WCDMA三天线应用
- 低插入损耗和低谐波产生
- 覆盖0.1至3.8 GHz频率范围
- 高端口间隔离度
- 若射频线路上未施加直流电压，则无需隔直电容
- 完全兼容在1.65至1.95 V电压范围内工作的MIPI RFFE 2.0标准
- 软件可编程的MIPI RFFE USID
- 无引脚、无卤素的PG - ULGA - 16 - 3封装，横向尺寸为2.0 mm×2.0 mm，厚度为0.6 mm
- 无需电源去耦
- 高电磁干扰（EMI）鲁棒性
应用领域
- 蜂窝移动设备的三天线路由/切换。
- GSM/WCDMA/LTE功率放大器（PA）后置功率电平路由开关。