BSB013NE2LXI
1个N沟道 耐压:25V 电流:163A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSB013NE2LXI
- 商品编号
- C534264
- 商品封装
- MG-WDSON-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 163A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@12V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 针对高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管（SyncFET）
- 集成单片类肖特基二极管
- 低外形（<0.7 mm）
- 100%雪崩测试
- 100%栅极电阻（RG）测试
- 双面散热
- 与DirectFET封装MX的焊盘布局和外形兼容
- 针对目标应用通过JEDEC标准认证
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准